在5G通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、充電樁和車(chē)載電源等應(yīng)用中，小型化、輕量化要求功率器件具備更高的開(kāi)關(guān)頻率、更小的死區(qū)時(shí)間，而系統(tǒng)復(fù)雜化與高壓應(yīng)用則對(duì)隔離器件的可靠性提出了更高要求。對(duì)此，我們提供低傳播延時(shí)、高可靠性、高集成度、基礎(chǔ)型/增強(qiáng)型隔離的隔離驅(qū)動(dòng)芯片解決方案，特別適合當(dāng)前開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)智能化、小型化的趨勢(shì)。

納芯微最新推出高可靠性非隔離驅(qū)動(dòng)，涵蓋半橋驅(qū)動(dòng)器和低邊驅(qū)動(dòng)器。該系列產(chǎn)品傳輸延時(shí)短，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，耐負(fù)壓、抗干擾能力強(qiáng)，可降低開(kāi)關(guān)損耗，適應(yīng)嘈雜的環(huán)境并提高系統(tǒng)效率。

納芯微直流有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品覆蓋多種電壓與電流等級(jí)，內(nèi)部集成功率管，提供小型化，高效率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。同時(shí)芯片方案簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提供高精度電流采樣，為輸出負(fù)載提供全方位保護(hù)與診斷功能， 可廣泛應(yīng)用與工業(yè)與汽車(chē)終端應(yīng)用。

納芯微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)應(yīng)用于微步控制的雙極性步進(jìn)和單極性步進(jìn)，覆蓋不同微步和電流。并配備全方位的保護(hù)包括無(wú)感堵轉(zhuǎn)檢測(cè)，負(fù)載檢測(cè)，欠壓保護(hù)，過(guò)流保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)等。其可廣泛使用于電子膨脹閥，風(fēng)門(mén)電機(jī)，HUD等汽車(chē)終端步進(jìn)類(lèi)負(fù)載。

納芯微繼電器與螺線管驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品專(zhuān)注于智能高/低邊驅(qū)動(dòng)方案，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)應(yīng)用于繼電器，LED，螺線管等負(fù)載，覆蓋不同通道與電流產(chǎn)品。芯片方案可適用于電阻性，電容性，電感性負(fù)載，并為配備全方位的保護(hù)包括欠壓保護(hù)，過(guò)流保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)等，其可廣泛使用于工業(yè)與汽車(chē)終端應(yīng)用。

相比傳統(tǒng)的硅基功率器件, 碳化硅材料固有的寬禁帶以及良好的導(dǎo)熱性能，使其在中、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景中被廣泛使用。

• Si MOSFET非常適合高頻且開(kāi)關(guān)速度要求高的應(yīng)用。在開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中，Si MOSFET的寄生參數(shù)至關(guān)重要，它決定了轉(zhuǎn)換時(shí)間、導(dǎo)通電阻、振鈴 (開(kāi)關(guān)時(shí)超調(diào)) 和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS的效率密切相關(guān)。

• 作為電源開(kāi)關(guān)，選擇的Si MOSFET應(yīng)該具有極低的導(dǎo)通電阻、低輸入電容 (即Miller電容) 以及極高的柵極擊穿電壓，這個(gè)數(shù)值甚至高到足以處理電感產(chǎn)生的任何峰值電壓。另外，漏極和源極之間的寄生電感也是越低越好，因?yàn)榈图纳姼锌蓪㈤_(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓峰值降至最低。

• 對(duì)于門(mén)驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的Si MOSFET。

納芯微可用于汽車(chē)音頻系統(tǒng)的數(shù)字輸入車(chē)規(guī)級(jí)D類(lèi)（Class D）音頻功率放大器具備靈活的開(kāi)關(guān)頻率、調(diào)制方式和多種保護(hù)功能，可適配不同的汽車(chē)音頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)。